未来，集成建工只有更为细分、更为专业、差异化于电视传统功能的场景盒子才有机会获得一席之地。
他在化学领域的研究是金表面/纳米粒子巯基分子的组装方法，电路以开发自组装单分子膜、电路以及制作极微小单元的单分子膜模式、并以此为基板转写的微印刷而有名。工业构象类型的这种变化降低了构象顺序并影响了隧穿速率。
此外，互联会干货满n型1TeFET的亚阈值摆幅甚至达到60mV/dec的热电子极限。现场测量已经证实，网数在一维缺陷的大位错理论预测在PbTe和CdSe纳米晶体界面的几纳米长度尺度上是正确的。尽管单个胶体纳米晶体通常没有许多缺陷，字基场但是存在许多可以在纳米晶体附着时产生缺陷的途径。
文章应用了类似的逻辑来理解平面（2D）缺陷的形成，信部例如纳米晶体附着时的堆叠缺陷。Acc.Chem.Res.：发布应用位错理论将纳米晶体砌块构建的人造固体中的缺陷最小化胶态无机纳米晶体的定向原子附着代表了一种强大的合成方法，发布用于制备复杂的无机超结构。
研究范围覆盖了碳纳米管，集成建工石墨烯，化学气相沉积，以及CVD机理建模。
在某些情况下，电路源自附件的缺陷是可取的。【图文导读】图一、工业两种不同ZICs的结构示意图图二、工业ZICs的优缺点的总结图三、两种不同ZICs使用的正负极材料分类的示意图图四、P,B-AC//ZnZICs的制备及性能（a）P,B-AC//ZnZICs的示意图。
互联会干货满（b）ZICs的配置和工作原理。（b，网数c）不同扫速下的CV曲线。
（g）在-20℃下，字基场5Ag-1的电流密度循环特性。信部材料人投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。
